AL-27mini臺式X射線衍射儀

AL-27mini臺式X射線衍射儀為工業(yè)化生產、質量控制而設計，濃縮X射線衍射儀生產的先進技術，功能化與小型化臺式X射線衍射儀。能夠精確地對金屬和非金屬樣品進行定性分析、定量及晶體結構分析。尤其適用于催化劑、鈦白粉、水泥、制藥等產品制造行業(yè)。

AL-27mini臺式X射線衍射儀主要技術指標：

●運行功率（管電壓、管電流）：600W(40kV、15mA)或是1200W(40kV、30mA) 、穩(wěn)定度:0.005%

●X射線管：金屬陶瓷X射線管、Cu靶、功率2.4kW、焦點尺寸：1x10 mm

風冷或是水冷（水流量大于2.5L/min）

●測角儀：樣品水平θs-θd結構、衍射圓半徑150mm

●樣品測量方式：連續(xù)、步進、Omg

●角度測量范圍：θs/θd聯(lián)動時-3°-150°

●最小步寬：0.0001°

●角度重現：0.0005°

●角度定位速度：1500°/min

●計數器：封閉正比或高速一維半導體計數器

●能譜分辨率：小于25%

●最大線性計數率：≥5×105CPS（正比）、≥9×107CPS（一維半導體）

●計算機：戴爾商用筆記本

●儀器控制軟件：Windows7操作系統(tǒng)，自動控制X射線發(fā)生器的管電壓、管電流、光閘及射線管老化訓練；控制測角儀連續(xù)或步進掃描，同時進行衍射數據采集；對衍射數據進行常規(guī)處理：自動尋峰、手動尋峰、積分強度、峰高、重心、背景扣除、平滑、峰形放大、譜圖對比等。

●數據處理軟件：物相定性、定量分析、Kα1、α2剝離、全譜圖擬合、選峰擬合、半高寬和晶粒尺寸計算、晶胞測定、二類應力計算、衍射線條指標化、多重繪圖、3D繪圖、衍射數據校準、背景扣除、無標樣定量分析等功能、全譜圖擬合（WPF）、XRD衍射譜圖模擬。

●散射線防護：鉛+鉛玻璃防護，光閘窗口與防護裝置連鎖，散射線計量不大于1μSv/h

●儀器綜合穩(wěn)定度：≤1‰

●樣品一次裝載數據：配置換樣器，每次最多裝載6個樣品

●儀器外形尺寸：600×410×670（w×d×h）mm

●基于θ-θ幾何光學設計，便于樣品的制備和各種附件的安裝

●金屬陶瓷X射線管的應用，極大提高衍射儀運行功率

●封閉正比計數器，耐用免維護

●硅漂移探測器具有*的角度分辨率和能量分辨率，測量速度提高3倍以上

●豐富的衍射儀附件，滿足不同分析目的需要

●模塊化設計或稱即插即用組件，操作人員不需要校正光學系統(tǒng)，就能正確使用衍射儀相應附件

光學系統(tǒng)轉換

不需要拆卸索拉狹縫體，就可以單獨更換索拉狹縫結構。由于這一特點，不需要重新調整儀器，就可以實現聚焦光學系統(tǒng)和平行光學系統(tǒng)的轉換。

早前聚焦法光學系統(tǒng)和平行光束法光學系統(tǒng)分別需要配置彎曲晶體單色器和平面晶體單色器，光學系統(tǒng)的轉換需要對光學系統(tǒng)重新校正。采用本系統(tǒng)只要將單色器的晶體旋轉90°、更換狹縫結構，就可以實現光學系統(tǒng)的轉換。

數據處理軟件包括以下功能  

基本數據處理功能（尋峰、平滑、背景扣除、峰形擬合、峰形放大、譜圖對比、Kα1、α2剝離、衍射線條指標化等）；

●無標準樣品快速定量分析

●晶粒尺寸測量

●晶體結構分析（晶胞參數測量和精修）

●宏觀應力測量和微觀應力計算；

●多重繪圖的二維和三維顯示；

●衍射峰圖群聚分析；

●衍射數據半峰寬校正曲線；

●衍射數據角度偏差校正曲線；

●基于Rietveld常規(guī)定量分析；

●使用ICDD數據庫或是用戶數據庫進行物相定性分析；

●使用ICDD數據庫或是ICSD數據庫進行定量分析；

衍射儀附件

XRD Attachments

Al系列衍射儀除了基本功能外，可快速配置各種附件，具有非常強的分析能力

高精度的機械加工，使附件安裝位置的重現性極大地提高，實現即插即用。不需要對光路進行校準，只要在軟件中選定相應的附件就可以實現特殊目的測量。

多功能樣品架

隨著材料研究的深入，越來越多的板材、塊狀材料及基體上的膜也要求用X射線衍射儀進行性能分析。在測角儀上安裝多功能樣品架可以進行織構、宏觀應力、薄膜面內結構等測試，每一種測試功能都有相應的計算軟件。

●碾軋板（鋁、鐵、銅板等）織構測量及評價

●金屬、陶瓷等材料殘余應力測量

●薄膜樣品晶體優(yōu)先方位的評價

●大分子化合物取向測量

●金屬、非金屬基體上的多層膜、氧化膜、氮化膜分析

織構使材料呈現各向異性，利用織構改善和提高材料的性能、充分發(fā)揮材料性能的潛力，是材料科學研究的重要工作之一。雖然檢測材料織構方法很多，但是*泛應用的還是X射線衍射技術。

高溫附件

用來研究材料在不同溫度條件下，晶體結構發(fā)生的變化。

主要技術參數：

溫度設置范圍：空氣、真空或是惰性氣體保護      室溫到＋1600℃（極限）

溫度控制速度：從室溫加熱到1600℃                   ＞8分鐘

溫度控制精度：溫度設定值                                  ±0.5℃

溫度設定方式：軟件控制，連續(xù)設定

加熱材料：Pt(100×10×0.3mm）

窗口：耐400℃、0.04mm聚酯膜

冷卻方式：蒸餾水循環(huán)冷卻

變溫附件

用來研究樣品在低溫或是室溫到450℃狀態(tài)下，晶體結構發(fā)生的變化。

主要技術參數：

溫度設置范圍：惰性氣體                       室溫到+450℃

             真空                          -193到+450℃

溫度控制數度：從室溫到設置溫度                       ＞10分鐘

溫度控制精度：溫度設定值                                  ±0.5℃

溫度設定方式：軟件控制，連續(xù)設定

窗口：耐400℃、0.04mm聚酯膜

制冷方式：液氮（消耗量小于4L/h）